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2N60KG-MT-TN4-R

产品描述Power Field-Effect Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小272KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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2N60KG-MT-TN4-R概述

Power Field-Effect Transistor,

2N60KG-MT-TN4-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8146980459
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL6.45
雪崩能效等级(Eas)85 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)6 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)95 ns
最大开启时间(吨)105 ns

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