71982L45LB,71982L45LB pdf中文资料,71982L45LB引脚图,71982L45LB电路-Datasheet-电子工程世界

71982L45LB: 产品描述Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, LCC-28; 产品类别存储存储; 文件大小437KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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71982L45LB概述

Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, LCC-28

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	QCCN, LCC28,.35X.55
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XQCC-N28
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	28
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC28,.35X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
最大待机电流	0.0006 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

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