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1N4448-TAP

产品描述发光二极管(通用、电源、转换) Vr/75v Io/150ma
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小92KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N4448-TAP概述

发光二极管(通用、电源、转换) Vr/75v Io/150ma

1N4448-TAP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
产品种类发光二极管(通用、电源、转换)
RoHS
产品Switching Diodes
峰值反向电压75 V
正向连续电流300 mA
最大浪涌电流2 A
配置Single
恢复时间8 ns
正向电压下降1 V
最大反向漏泄电流0.025 uA
最大功率耗散500 mW
工作温度范围175 C
封装 / 箱体DO-35
封装Amm
最大工作温度+ 175 C
最小工作温度- 65 C
安装风格Through Hole

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1N4448
Vishay Semiconductors
Small Signal Fast Switching Diodes
Features
• Silicon epitaxial planar diodes
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
and in accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21
definition
Applications
• Extreme fast switches
94 9367
Mechanical Data
Case:
DO-35
Weight:
approx. 125 mg
Cathode Band Color:
black
Packaging Codes/Options:
TR/10 k per 13" reel (52 mm tape), 50 k/box
TAP/10 k per Ammopack (52 mm tape), 50 k/box
Parts Table
Part
1N4448
Ordering code
1N4448-TAP or 1N4448-TR
Type Marking
V4448
Remarks
Ammopack/tape and reel
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Forward continuous current
Average forward current
Power dissipation
V
R
= 0
l = 4 mm, T
L
= 45 °C
l = 4 mm, T
L
25 °C
t
p
= 1 µs
Test condition
Symbol
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
tot
P
tot
Value
100
75
2
500
300
150
440
500
Unit
V
V
A
mA
mA
mA
mW
mW
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
Test condition
l = 4 mm, T
L
= constant
Symbol
R
thJA
T
j
T
stg
Value
350
175
- 65 to + 150
Unit
K/W
°C
°C
Document Number 81858
Rev. 1.1, 17-Aug-10
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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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