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1N5821-T

产品描述肖特基(二极管与整流器) 3.0A 30v
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小418KB,共4页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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1N5821-T概述

肖特基(二极管与整流器) 3.0A 30v

1N5821-T规格参数

参数名称属性值
厂商名称MCC
产品种类肖特基(二极管与整流器)
RoHS
产品Schottky Rectifiers
峰值反向电压30 V
正向连续电流3 A @ Ta=85C
最大浪涌电流80 A
配置Single
正向电压下降0.5 V
最大反向漏泄电流200 uA
安装风格Through Hole
封装 / 箱体DO-201AD
封装Reel

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
Features
1N5820
THRU
1N5822
3 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 - 40 Volts
DO-201AD
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability
High Surge Current Capability
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +125°C
Maximum Thermal Resistance; 28
°C/W
Junction To Ambient
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
20V
30V
40V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
D
1N5820
1N5821
1N5822
1N5820
1N5821
1N5822
14V
21V
28V
A
Cathode
Mark
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
1N5820
1N5821
1N5822
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
I
F(AV)
I
FSM
3.0A
80A
T
A
= 85°C
8.3ms, half sine
D
C
V
F
.475V
.500V
.525V
0.5mA
20mA
200pF
I
FM
= 3.0A;
T
J
= 25°C
(Note 2)
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
.287
.189
.048
1.000
DIMENSIONS
MM
MIN
7.30
4.80
1.20
25.40
I
R
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
MAX
.374
.208
.052
---
MAX
9.50
5.30
1.30
---
NOTE
C
J
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
2.Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
Revision: 6
www.mccsemi.com
1 of 4
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