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HYMD216M646DL6-D4

产品描述DDR DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小321KB,共19页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYMD216M646DL6-D4概述

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200

HYMD216M646DL6-D4规格参数

参数名称属性值
Objectid1125504491
包装说明DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N200
长度67.6 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源2.6 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度31.75 mm
自我刷新YES
最大压摆率1 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.66 mm
端子位置DUAL
宽度3.8 mm
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