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KM658128P-12L: 产品描述Pseudo Static RAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小263KB，共10页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM658128P-12L概述

Pseudo Static RAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

KM658128P-12L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
其他特性	CE/AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
长度	42.035 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.93 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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KM658128P-12L相似产品对比

	KM658128P-12L	KM658128P-8L	KM658128G-10L	KM658128G-12L	KM658128G-8L	KM658128P-10L
描述	Pseudo Static RAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Pseudo Static RAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Pseudo Static RAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	Pseudo Static RAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	Pseudo Static RAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	Pseudo Static RAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	DIP
包装说明	DIP,	DIP,	SOP,	SOP,	SOP,	DIP,
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	80 ns	100 ns	120 ns	80 ns	100 ns
其他特性	CE/AUTO/SELF REFRESH	CE/AUTO/SELF REFRESH	CE/AUTO/SELF REFRESH	CE/AUTO/SELF REFRESH	CE/AUTO/SELF REFRESH	CE/AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32
长度	42.035 mm	42.035 mm	20.47 mm	20.47 mm	20.47 mm	42.035 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	SOP	SOP	SOP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.93 mm	3.93 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3.93 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	15.24 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	15.24 mm

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