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K4S56163LF-XE1L

产品描述Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
产品类别存储    存储   
文件大小115KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K4S56163LF-XE1L概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54

K4S56163LF-XE1L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid104416969
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL2
最长访问时间7 ns
最大时钟频率 (fCLK)105 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e0
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.15 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

 
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