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W29C020CT90B

产品描述256k X 8 cmos flash memory
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文件大小189KB,共21页
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
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W29C020CT90B概述

256k X 8 cmos flash memory

W29C020CT90B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
其他特性HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 20-YEARS DATA RETENTION
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面NO
数据轮询YES
数据保留时间-最小值20
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2097152 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,1,1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K,240K,8K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

W29C020CT90B相似产品对比

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描述 256k X 8 cmos flash memory 256k X 8 cmos flash memory 256k X 8 cmos flash memory 256k X 8 cmos flash memory 256k X 8 cmos flash memory 256k X 8 cmos flash memory
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP1 DIP - DIP DIP DIP
包装说明 TSOP1, TSSOP32,.8,20 DIP, DIP32,.6 - DIP, DIP32,.6 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 DIP, DIP32,.6
针数 32 32 - 32 32 32
Reach Compliance Code unknow _compli - _compli unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 90 ns 70 ns - 120 ns 120 ns 90 ns
其他特性 HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 20-YEARS DATA RETENTION HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 20-YEARS DATA RETENTION - HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 20-YEARS DATA RETENTION - HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION; 20-YEARS DATA RETENTION
启动块 BOTTOM/TOP BOTTOM/TOP - BOTTOM/TOP BOTTOM/TOP BOTTOM/TOP
命令用户界面 NO NO - NO - NO
数据轮询 YES YES - YES - YES
数据保留时间-最小值 20 20 - 20 - 20
耐久性 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles - 10000 Write/Erase Cycles - 10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32 - R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0
长度 18.4 mm 41.91 mm - 41.91 mm 41.91 mm 41.91 mm
内存密度 2097152 bi 2097152 bi - 2097152 bi 2097152 bi 2097152 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH - FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 - 8 8 8
功能数量 1 1 - 1 1 1
部门数/规模 1,1,1 1,1,1 - 1,1,1 - 1,1,1
端子数量 32 32 - 32 32 32
字数 262144 words 262144 words - 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 - 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX8 256KX8 - 256KX8 256KX8 256KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 DIP - DIP DIP DIP
封装等效代码 TSSOP32,.8,20 DIP32,.6 - DIP32,.6 - DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE - IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V - 5 V - 5 V
编程电压 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 5.33 mm - 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm
部门规模 8K,240K,8K 8K,240K,8K - 8K,240K,8K - 8K,240K,8K
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A - 0.0001 A - 0.0001 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA - 0.05 mA - 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO - NO NO NO
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 0.5 mm 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES YES - YES - YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 8 mm 15.24 mm - 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms - 10 ms 10 ms 10 ms
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