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RN1011

产品描述toshiba transistor silicon npn epitaxial type (pct process)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1011概述

toshiba transistor silicon npn epitaxial type (pct process)

RN1011规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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RN1010, RN1011
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1010,RN1011
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN2010~RN2011
Unit: mm
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
400
150
−55~125
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.21g
TO-92
SC-43
2-5F1B
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Input resistor
RN1010
RN1011
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test
Circuit
―
―
Test Condition
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
I
C
= 5mA, I
B
= 0.25mA
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MH
z
Min
120
―
3.29
7
Typ.
0.1
250
3
4.7
10
Max
100
100
700
0.3
6
6.11
13
V
MH
z
pF
kΩ
Unit
nA
nA
1
2001-06-07

RN1011相似产品对比

RN1011 RN1010
描述 toshiba transistor silicon npn epitaxial type (pct process) toshiba transistor silicon npn epitaxial type (pct process)
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.4 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz

 
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