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GT20J301

产品描述N channel (high power switching, motor control applications)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小324KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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GT20J301概述

N channel (high power switching, motor control applications)

GT20J301规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SPEED
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)300 ns
门极发射器阈值电压最大值8 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值130 W
最大功率耗散 (Abs)130 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)700 ns
标称接通时间 (ton)400 ns
VCEsat-Max2.7 V
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