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RN1111

产品描述switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小255KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1111概述

switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications

RN1111规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V

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RN1110,RN1111
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1110, RN1111
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduced number of parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN2110~RN2111
Unit: mm
Equivalent Circuit
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
c
P
c
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
100
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 2.4mg
2-2H1A
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Translation frequency
Collector output capacitance
Input resistor
RN1110
RN1111
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA
I
C
= 5 mA, I
B
= 0.25 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 5 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Min
120
3.29
7
Typ.
0.1
250
3
4.7
10
Max
0.1
0.1
700
0.3
6
6.11
13
Unit
μA
μA
V
MHz
pF
kΩ
1
2007-11-01

RN1111相似产品对比

RN1111 RN1110 RN1110_07
描述 switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications
是否无铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A -
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 120 120 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz -
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