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2N356

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共1页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2N356概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 18V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Germanium, TO-5, TO-5, 3 PIN

2N356规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid2114956454
包装说明TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压18 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度85 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)3 MHz
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