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MG300Q2YS65H

产品描述toshiba igbt module silicon N channel igbt
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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MG300Q2YS65H概述

toshiba igbt module silicon N channel igbt

MG300Q2YS65H规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数7
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)300 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2700 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)600 ns
标称接通时间 (ton)170 ns
VCEsat-Max4 V

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MG300Q2YS65H
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG300Q2YS65H
High Power & High Speed Switching
Applications
·
·
·
High input impedance
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Unit: mm
Equivalent Circuit
E1
E2
C1
E2
G1 E1/C2
G2
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-109C4A
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
DC
1 ms
DC
1 ms
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
V
Isol
Terminal
Mounting
¾
¾
Weight: 430 g (typ.)
Rating
1200
±20
300
600
300
600
2700
150
-40
to 125
2500
(AC 1 minute)
3
3
Unit
V
V
A
Forward current
Collector power dissipation
(Tc
=
25°C)
Junction temperature
Storage temperature range
Isolation voltage
Screw torque
A
W
°C
°C
V
N▪m
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