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935345452598

产品描述RF Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小770KB,共18页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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935345452598概述

RF Power Field-Effect Transistor

935345452598规格参数

参数名称属性值
Objectid7370053057
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
YTEOL6.9
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压150 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)1 pF
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度225 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)17 dB
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM NITRIDE
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