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W3E32M64SA-266B2I

产品描述DDR DRAM, 32MX64, 0.75ns, CMOS, PBGA219, BGA-219
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制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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W3E32M64SA-266B2I概述

DDR DRAM, 32MX64, 0.75ns, CMOS, PBGA219, BGA-219

W3E32M64SA-266B2I规格参数

参数名称属性值
Objectid8074418993
包装说明BGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED
JESD-30 代码S-PBGA-B219
长度21.1 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量219
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX64
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
座面最大高度2.69 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度21.1 mm
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