DDR DRAM, 32MX64, 0.75ns, CMOS, PBGA219, BGA-219
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 8074418993 |
包装说明 | BGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B219 |
长度 | 21.1 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 219 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32MX64 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
座面最大高度 | 2.69 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 21.1 mm |
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