1M-bit, 2M-bit, 4M-bit and 8M-bit 2.5V serial flash memory with 4kb sectors and dual output spi
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Winbond(华邦电子) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 50 MHz |
数据保留时间-最小值 | 20 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
长度 | 9.27 mm |
内存密度 | 2097152 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2.5/3.3 V |
编程电压 | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.33 mm |
串行总线类型 | SPI |
最大待机电流 | 0.00001 A |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 7.62 mm |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
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