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MT9VDDT12872HY-40B

产品描述DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, PDMA200,
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文件大小649KB,共28页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT9VDDT12872HY-40B概述

DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, PDMA200,

MT9VDDT12872HY-40B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid104438011
包装说明DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL4.75
最长访问时间0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N200
内存密度9663676416 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
端子数量200
字数134217728 words
字数代码128000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源2.6 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
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