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BL2N60D

产品描述Power MOSFET; Channel Polarity: N-Channel; V(BR)DSS Min (V): 600V; ID Max (A): 2A; RDS(ON) Max (Ω): 5 Ohm; ID (A): 1A; VGS (V): 10V; VGS Max (V): 4V; ID (mA): 250mA; GFS Min (S): 2.25 S; VDS (V): 50V; ID (A) 1: 1A; Package: TO-252
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小455KB,共7页
制造商Galaxy Microelectronics
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BL2N60D概述

Power MOSFET; Channel Polarity: N-Channel; V(BR)DSS Min (V): 600V; ID Max (A): 2A; RDS(ON) Max (Ω): 5 Ohm; ID (A): 1A; VGS (V): 10V; VGS Max (V): 4V; ID (mA): 250mA; GFS Min (S): 2.25 S; VDS (V): 50V; ID (A) 1: 1A; Package: TO-252

BL2N60D规格参数

参数名称属性值
Objectid8327673831
零件包装代码TO-252
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
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