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RN1211

产品描述toshiba transistor silicon npn epitaxial type (pct process)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小161KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1211概述

toshiba transistor silicon npn epitaxial type (pct process)

RN1211规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明CYLINDRICAL, O-XBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码O-XBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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RN1210,RN1211
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1210,RN1211
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
With built-in bias resistors.
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN2210, RN2211
Unit: mm
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
c
P
c
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
300
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.13g
2-4E1A
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
°
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Translation frequency
Collector output capacitance
Input resistor
RN1210
RN1211
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
= 50V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
I
C
= 5mA, I
B
= 0.25mA
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
V
CB
=
−10V,
I
E
= 0, f = 1MHz
Min
120
3.29
7
Typ.
0.1
250
3
4.7
10
Max
100
100
700
0.3
6
6.11
13
Unit
nA
nA
V
MHz
pF
kΩ
1
2001-06-07

 
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