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W25P222AD-4

产品描述64k X 32 burst pipelined high-speed cmos static ram
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共16页
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
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W25P222AD-4概述

64k X 32 burst pipelined high-speed cmos static ram

W25P222AD-4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Winbond(华邦电子)
Objectid1447412562
零件包装代码QFP
包装说明MO-136, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A991.B.2.A
compound_id9490543
最长访问时间4 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度2097152 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

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描述 64k X 32 burst pipelined high-speed cmos static ram 64k X 32 burst pipelined high-speed cmos static ram 64k X 32 burst pipelined high-speed cmos static ram 64k X 32 burst pipelined high-speed cmos static ram RADIAL LEADED INDUCTORS 64k X 32 burst pipelined high-speed cmos static ram 64k X 32 burst pipelined high-speed cmos static ram

 
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