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74LVC1G06GM-G

产品描述缓冲器和线路驱动器 3.3V inv open-drain outputs
产品类别半导体    逻辑   
文件大小149KB,共17页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74LVC1G06GM-G概述

缓冲器和线路驱动器 3.3V inv open-drain outputs

74LVC1G06GM-G规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
产品种类缓冲器和线路驱动器
RoHS
逻辑系列LVC
逻辑类型CMOS
每芯片的通道数量Single
极性Inverting
电源电压(最大值)5.5 V
电源电压(最小值)1.65 V
最大工作温度+ 125 C
最小工作温度- 40 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-886
封装Reel
低电平输出电流32 mA
输出类型Open Drai
传播延迟时间2.5 ns (Typ) @ 2.7 V

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74LVC1G06
Inverter with open-drain output
Rev. 8 — 26 October 2010
Product data sheet
1. General description
The 74LVC1G06 provides the inverting buffer.
Input can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. These features allow the use of
these devices in a mixed 3.3 V and 5 V environment.
Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant for slower input rise and fall
time.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
The output of the device is an open drain and can be connected to other open-drain
outputs to implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standard:
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
JESD8B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V)
±24
mA output drive (V
CC
= 3.0 V)
CMOS low power consumption
Latch-up performance exceeds 250 mA
Direct interface with TTL levels
Inputs accept voltages up to 5 V
Multiple package options
ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
Specified from
−40 °C
to +125
°C

74LVC1G06GM-G相似产品对比

74LVC1G06GM-G 74LVC1G06GW-G
描述 缓冲器和线路驱动器 3.3V inv open-drain outputs IC LVC/LCX/Z SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5, 1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SC-88A, SOT353-1, TSSOP-5, Gate
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
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