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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 信号电路> 5962F9563002VYC
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5962F9563002VYC

产品描述16-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDFP28, CERAMIC, FLATPACK-28
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小75KB，共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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5962F9563002VYC概述

16-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDFP28, CERAMIC, FLATPACK-28

5962F9563002VYC规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL28,.4
针数28
Reach Compliance Codecompliant
模拟集成电路 - 其他类型SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码R-CDFP-F28
JESD-609代码e4
负电源电压最大值（Vsup）-16 V
负电源电压最小值（Vsup）-15 V
标称负供电电压 (Vsup)-15.5 V
信道数量16
功能数量1
端子数量28
标称断态隔离度45 dB
最大通态电阻 (Ron)4000 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度2.92 mm
最大供电电流 (Isup)0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)16 V
最小供电电压 (Vsup)15 V
标称供电电压 (Vsup)15.5 V
表面贴装YES
最长断开时间125 ns
最长接通时间125 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Gold (Au)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量300k Rad(Si) V
宽度12.445 mm
Base Number Matches1

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HS-1840ARH
Data Sheet
August 1999
File Number
4355.1
Rad-Hard 16 Channel CMOS Analog
Multiplexer with High-Z Analog Input
Protection
The HS-1840ARH is a radiation hardened, monolithic 16
channel multiplexer constructed with the Intersil Rad-Hard
Silicon Gate, bonded wafer, Dielectric Isolation process. It is
designed to provide a high input impedance to the analog
source if device power fails (open), or the analog signal
voltage inadvertently exceeds the supply by up to
±35V,
regardless of whether the device is powered on or off.
Excellent for use in redundant applications, since the
secondary device can be operated in a standby unpowered
mode affording no additional power drain. More significantly,
a very high impedance exists between the active and
inactive devices preventing any interaction. One of sixteen
channel selection is controlled by a 4-bit binary address plus
an Enable-Inhibit input which conveniently controls the
ON/OFF operation of several multiplexers in a system. All
inputs have electrostatic discharge protection.
The HS-1840ARH is processed and screened in full compliance
with MIL-PRF-38535 and QML standards. The device is
available in a 28 lead SBDIP and a 28 lead Ceramic Flatpack.
Specifications for Rad Hard QML devices are controlled
by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The
SMD numbers listed here must be used when ordering.
Detailed Electrical Specifications for these devices are
contained in SMD 5962-95630. A “hot-link” is provided
on our homepage for downloading.
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
Features
• Electrically Screened to SMD # 5962-95630
• QML Qualified per MIL-PRF-38535 Requirements
• Pin-to-Pin for Intersil’s HS-1840RH and HS-1840/883S
• Improved Radiation Performance
- Gamma Dose (γ) 3 x 10
5
RAD(Si)
• Improved r
DS(ON)
Linearity
• Improved Access Time 1.5µs (Max) Over Temp and Post
Rad
• High Analog Input Impedance 500MΩ During Power Loss
(Open)
•
±35V
Input Over Voltage Protection (Power On or Off)
• Dielectrically Isolated Device Islands
• Excellent in Hi-Rel Redundant Systems
• Break-Before-Make Switching
• No Latch-Up
Ordering Information
ORDERING NUMBER
5962F9563002QXC
5962F9563002QYC
5962F9563002V9A
5962F9563002VXC
5962F9563002VYC
INTERNAL
MKT. NUMBER
HS1-1840ARH-8
HS9-1840ARH-8
HS0-1840ARH-Q
HS1-1840ARH-Q
HS9-1840ARH-Q
TEMP. RANGE
(
o
C)
-55 to 125
-55 to 125
25
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
-55 to 125
HS1-1840ARH/PROTO HS1-1840ARH/PROTO
HS9-1840ARH/PROTO HS9-1840ARH/PROTO
Pinouts
HS1-1840ARH (SBDIP) CDIP2-T28
TOP VIEW
+V
S
1
NC 2
NC 3
IN 16 4
IN 15 5
IN 14 6
IN 13 7
IN 12 8
IN 11 9
IN 10 10
IN 9 11
GND 12
(+5V
S
) V
REF
13
ADDR A3 14
28 OUT
27 -V
S
26 IN 8
25 IN 7
24 IN 6
23 IN 5
22 IN 4
21 IN 3
20 IN 2
19 IN 1
18 ENABLE
17 ADDR A0
16 ADDR A1
15 ADDR A2
+V
S
NC
NC
IN 16
IN 15
IN 14
IN 13
IN 12
IN 11
IN 10
IN 9
GND
(+5V
S
) V
REF
ADDR A3
HS9-1840ARH (FLATPACK) CDFP3-F28
TOP VIEW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
OUT
-V
S
IN 8
IN 7
IN 6
IN 5
IN 4
IN 3
IN 2
IN 1
ENABLE
ADDR A0
ADDR A1
ADDR A2
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999

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5962F9563002VYC 5962F9563002VXC 5962F9563002QXC
描述 16-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDFP28, CERAMIC, FLATPACK-28 16-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP28, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28 16-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP28, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DFP DIP DIP
包装说明 DFP, FL28,.4 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6
针数 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
模拟集成电路 - 其他类型 SINGLE-ENDED MULTIPLEXER SINGLE-ENDED MULTIPLEXER SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码 R-CDFP-F28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28
JESD-609代码 e4 e4 e4
负电源电压最大值（Vsup） -16 V -16 V -16 V
负电源电压最小值（Vsup） -15 V -15 V -15 V
标称负供电电压 (Vsup) -15.5 V -15.5 V -15.5 V
信道数量 16 16 16
功能数量 1 1 1
端子数量 28 28 28
标称断态隔离度 45 dB 45 dB 45 dB
最大通态电阻 (Ron) 4000 Ω 4000 Ω 4000 Ω
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DIP DIP
封装等效代码 FL28,.4 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 +-15 V +-15 V +-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度 2.92 mm 5.92 mm 5.92 mm
最大供电电流 (Isup) 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA
最大供电电压 (Vsup) 16 V 16 V 16 V
最小供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V
标称供电电压 (Vsup) 15.5 V 15.5 V 15.5 V
表面贴装 YES NO NO
最长断开时间 125 ns 125 ns 125 ns
最长接通时间 125 ns 125 ns 125 ns
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V
宽度 12.445 mm 15.24 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 1

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