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ALD1117SA

产品描述mosfet 小信号 dual P-channel array
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小44KB,共6页
制造商All Sensors
标准  
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ALD1117SA概述

mosfet 小信号 dual P-channel array

ALD1117SA规格参数

参数名称属性值
厂商名称All Sensors
产品种类MOSFET 小信号
RoHS
配置Quad
晶体管极性P-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通)1.8 K Ohms
正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.00067 S
汲极/源极击穿电压- 12 V
闸/源击穿电压- 13.2 V
漏极连续电流- 2 mA
功率耗散500 mW
最大工作温度+ 70 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8
最小工作温度0 C

ALD1117SA相似产品对比

ALD1117SA ALD1107SB ALD1107PB ALD1117PA
描述 mosfet 小信号 dual P-channel array mosfet 小信号 quad P-channel mosfet 小信号 quad P-channel mosfet 小信号 dual P-channel array
厂商名称 All Sensors All Sensors All Sensors All Sensors
产品种类 MOSFET 小信号 MOSFET 小信号 MOSFET 小信号 MOSFET 小信号
RoHS
配置 Quad Quad Quad Quad
晶体管极性 P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通) 1.8 K Ohms 1.8 K Ohms 1.8 K Ohms 1.8 K Ohms
正向跨导 gFS(最大值/最小值) 0.00067 S 0.00067 S 0.00067 S 0.00067 S
汲极/源极击穿电压 - 12 V - 12 V - 12 V - 12 V
闸/源击穿电压 - 13.2 V - 13.2 V - 13.2 V - 13.2 V
漏极连续电流 - 2 mA - 2 mA - 2 mA - 2 mA
功率耗散 500 mW 501 mW 500 mW 500 mW
最大工作温度 + 70 C + 70 C + 70 C + 70 C
安装风格 SMD/SMT SMD/SMT Through Hole Through Hole
封装 / 箱体 SOIC-8 SOIC-14 PDIP-14 PDIP-8
最小工作温度 0 C 0 C 0 C 0 C

 
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