mosfet 小信号 dual P-channel array
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | All Sensors |
产品种类 | MOSFET 小信号 |
RoHS | 否 |
配置 | Quad |
晶体管极性 | P-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 1.8 K Ohms |
正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 0.00067 S |
汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
闸/源击穿电压 | - 13.2 V |
漏极连续电流 | - 2 mA |
功率耗散 | 500 mW |
最大工作温度 | + 70 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 |
最小工作温度 | 0 C |
ALD1117SA | ALD1107SB | ALD1107PB | ALD1117PA | |
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描述 | mosfet 小信号 dual P-channel array | mosfet 小信号 quad P-channel | mosfet 小信号 quad P-channel | mosfet 小信号 dual P-channel array |
厂商名称 | All Sensors | All Sensors | All Sensors | All Sensors |
产品种类 | MOSFET 小信号 | MOSFET 小信号 | MOSFET 小信号 | MOSFET 小信号 |
RoHS | 否 | 否 | 否 | 否 |
配置 | Quad | Quad | Quad | Quad |
晶体管极性 | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 1.8 K Ohms | 1.8 K Ohms | 1.8 K Ohms | 1.8 K Ohms |
正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 0.00067 S | 0.00067 S | 0.00067 S | 0.00067 S |
汲极/源极击穿电压 | - 12 V | - 12 V | - 12 V | - 12 V |
闸/源击穿电压 | - 13.2 V | - 13.2 V | - 13.2 V | - 13.2 V |
漏极连续电流 | - 2 mA | - 2 mA | - 2 mA | - 2 mA |
功率耗散 | 500 mW | 501 mW | 500 mW | 500 mW |
最大工作温度 | + 70 C | + 70 C | + 70 C | + 70 C |
安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT | Through Hole | Through Hole |
封装 / 箱体 | SOIC-8 | SOIC-14 | PDIP-14 | PDIP-8 |
最小工作温度 | 0 C | 0 C | 0 C | 0 C |
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