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SUM75N04-05L-E3

产品描述mosfet 功率 40v 75a 250w 5.0mohm @ 10v
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SUM75N04-05L-E3概述

mosfet 功率 40v 75a 250w 5.0mohm @ 10v

SUM75N04-05L-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1

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SUM75N04-05L
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic Level
FEATURES
I
D
(A)
75
a
75
a
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
40
r
DS(on)
(W)
0.005 @ V
GS
= 10 V
0.006 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
(Typ)
130
D
TrenchFETr Power MOSFET
D
175_C Maximum Junction Temperature
D
100% R
g
Tested
D
TO-263
G
G
D S
S
N-Channel MOSFET
Top View
Ordering Information: SUM75N04-05L —E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
(T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
Limit
"20
75
a
55
240
75
280
250
b
3.7
−55
to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Notes
a. Package limited.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
Document Number: 73247
S-50141—Rev. A, 24-Jan-05
www.vishay.com
PCB Mount
c
Symbol
R
thJA
R
thJC
Limit
40
0.4
Unit
_C/W
1
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