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SUD50P06-15L-GE3

产品描述mosfet 功率 60v 50a 136w 15mohm @ 10v
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小65KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SUD50P06-15L-GE3概述

mosfet 功率 60v 50a 136w 15mohm @ 10v

SUD50P06-15L-GE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
产品种类MOSFET 功率
RoHS
封装Reel

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SUD50P06-15L
Vishay Siliconix
P-Channel 60 V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 60
R
DS(on)
()
0.015 at V
GS
= - 10 V
0.020 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 50
d
- 50
FEATURES
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• 175 °C Junction Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
RoHS
COMPLIANT
S
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
D
P-Channel MOSFET
Top View
Ordering Information:
SUD50P06-15L-E3 (Lead-(Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175 °C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
a
Symbol
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
D
I
DM
I
AR
L = 0.1 mH
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
- 60
± 20
- 50
d
- 39
- 80
- 50
125
136
c
3
b, c
- 55 to 175
Unit
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
b
Junction-to-Case
Notes:
a. Duty cycle
1 %.
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. See SOA curve for voltage derating.
d. Package limited.
t
10 s
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
15
40
0.82
Maximum
18
50
1.1
°C/W
Unit
Document Number: 72250
S10-2545-Rev. C, 08-Nov-10
www.vishay.com
1
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