Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRLR7811WCTRRPBF

IRLR7811WCTRRPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, D-PAK, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小206KB，共10页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRLR7811WCTRRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, D-PAK, 3 PIN

IRLR7811WCTRRPBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	140 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.0105 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	260 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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SMPS MOSFET

PD - 96064

IRLR7811WCPbF

Applications

High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

Lead-Free

Benefits

Very Low RDS(on) at 4.5V V

Ultra-Low Gate Impedance

Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D-Pak

IRLR7811WCPbF

HEXFET

Power MOSFET

DSS

30V

DS(on)

max

10.5mΩ

19nC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

= 100°C

STG

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

Power Dissipation*

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Max.

260

1.5

0.48

-55 to + 175

300 (1.6mm from case )

Units

W/°C

°C

Thermal Resistance

Parameter

θJC

θJA

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB mount)*

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

2.1

110

Units

°C/W

Notes

through

are on page 9

www.irf.com

05/24/06

IRLR7811WCTRRPBF相似产品对比

	IRLR7811WCTRRPBF	IRLR7811WCTRLP	IRLR7811WCTRRP	IRLR7811WCTRLPBF	IRLR7811WCTRPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, D-PAK, 3 PIN	mosfet N-CH 30v 64a dpak	mosfet N-CH 30v 64a dpak	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, D-PAK, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, D-PAK, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	-	-	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	-	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-252AA	-	-	TO-252AA	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	-	-	3	3
Reach Compliance Code	compliant	-	-	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	-	-	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	140 mJ	-	-	140 mJ	140 mJ
外壳连接	DRAIN	-	-	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	-	-	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	30 A	-	-	30 A	30 A
最大漏源导通电阻	0.0105 Ω	-	-	0.0105 Ω	0.0105 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA	-	-	TO-252AA	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	-	-	e3	e3
湿度敏感等级	1	-	-	1	1
元件数量	1	-	-	1	1
端子数量	2	-	-	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	-	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	260 A	-	-	260 A	260 A
认证状态	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	-	YES	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	-	-	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	-	-	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	-	30	30
晶体管应用	SWITCHING	-	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	-	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	-	-	1	1

IRLR7811WCTRRPBF

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