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SI4894DY-T1-E3

产品描述mosfet 小信号 30v 12.5A 3W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4894DY-T1-E3概述

mosfet 小信号 30v 12.5A 3W

SI4894DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)8.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1

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Si4894DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
FEATURES
I
D
(A)
12.5
10.2
r
DS(on)
(W)
0.012 @ V
GS
= 10 V
0.018 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr Power MOSFET
D
Lead (Pb)-Free Version is RoHS Compliant
Pb-free
Available
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
Ordering Information: Si4894DY-T1
Si4894DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
10 secs
30
"20
12.5
10
20
2.7
3.0
1.9
Steady State
Unit
V
8.5
6.8
A
1.3
1.4
0.9
−55
to 150
A
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum J
M i
Junction-to-Ambient
a
ti t A bi t
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
Document Number: 71162
S-50692—Rev. E, 11-Apr-05
www.vishay.com
t
v
10 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
35
73
16
Maximum
42
90
20
Unit
_C/W
C/W
1

SI4894DY-T1-E3相似产品对比

SI4894DY-T1-E3 SI4894DY-E3
描述 mosfet 小信号 30v 12.5A 3W mosfet 小信号 30v 12.5A 3W
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compli compli
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8.5 A 8.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3 W 1.4 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
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