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SI1403DL-E3

产品描述mosfet 小信号 20v 1.5A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小410KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI1403DL-E3概述

mosfet 小信号 20v 1.5A

SI1403DL-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.568 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)

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Si1403DL
New Product
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
(Ω)
0.180 at V
GS
= - 4.5 V
- 25
0.200 at V
GS
= - 3.6 V
0.265 at V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
± 1.5
± 1.4
± 1.2
FEATURES
• TrenchFET
®
Power MOSFET
Pb-free
Available
RoHS*
COMPLIANT
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
D
1
6
D
Marking Code
OA
XX
YY
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
D
2
5
D
G
3
4
S
Top
View
Ordering Information: Si1403DL-T1
Si1403DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
5 Sec
Steady State
- 20
± 12
± 1.5
± 1.2
±5
- 0.8
0.625
0.400
- 55 to 150
- 0.8
0.568
0.295
± 1.4
± 1.0
Unit
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
5 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
165
180
105
Maximum
200
220
130
Unit
°C/W
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 71072
S-60364–Rev. C, 13-Mar-06
www.vishay.com
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