电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI4892DY-E3

产品描述mosfet 小信号 30v 12.4A 3.1W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SI4892DY-E3概述

mosfet 小信号 30v 12.4A 3.1W

SI4892DY-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)8.8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.1 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)

文档预览

下载PDF文档
Si4892DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.012 at V
GS
= 10 V
0.020 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
12.4
9.6
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• High Efficiency PWM Optimized
• 100 % R
g
Tested
• 100 % UIS Tested
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
Ordering Information:
Si4892DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4892DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S
8
7
6
5
D
D
D
D
N-Channel MOSFET
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
3.1
2.0
- 55 to 150
2.60
20
20
1.6
1.0
mJ
W
°C
12.4
9.9
± 50
1.3
10 s
30
± 20
8.8
7.0
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
34
70
17
Maximum
40
80
20
°C/W
Unit
Document Number: 71407
S09-0221-Rev. G, 09-Feb-09
www.vishay.com
1

SI4892DY-E3相似产品对比

SI4892DY-E3 SI4892DY-T1
描述 mosfet 小信号 30v 12.4A 3.1W mosfet 小信号 30v 12.4A 1.6W
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compli compli
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8.8 A 8.8 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.1 W 3.1 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
Android 5.0 BLE低功耗蓝牙从设备应用
安卓的低功耗蓝牙应用十分普遍了,智能手环、手表遍地都是,基本都是利用BLE通信来交互数据。BLE基本在安卓、IOS两大终端设备上都有很好支持,所以有很好发展前景。 现市面上各种手环、手 ......
fish001 无线连接
请大家帮忙看看我的usb设备流驱动有什么问题?
对应DeviceIOControl函数写了如下的流驱动代码: BOOL TES_IOControl (DWORD dwCtx, DWORD dwCode, PBYTE pInpBuf, DWORD dwInpLen, PBYTE pOutBuf, DWORD d ......
blc9 嵌入式系统
目测很快会有F5529的launchpad
今天看了一眼TI WIKI上的BoosterPack Design Guide,有了新的发现 98498 红色框框里面就是F5529的launchpad的起草,估计很快就会有带USB的launchpad和大家见面了。 http://processors.wiki.t ......
wstt 微控制器 MCU
vs2005中在c#的智能设备上实现显示地图
请问,在c#的智能设备的模拟器上显示一副地图,需要什么控件,怎么导入?...
general711 嵌入式系统
求STM32的USB例程
大家好: 我想用stm32的USB口和电脑通讯。有电脑发送查询信息,板子接收到以后根据相应的信息进行查询,将查询的结果返回给电脑。请问有相似的接收和发送的历程吗?有的请给我一份谢谢...
andiwxz stm32/stm8
求DSP与ARM9(WINCE)串口通信的源代码(C++)、、、急用..谢谢啊。。。。
最近加入一个项目,需要DSP与ARM9的串口通信,可是本人实在是刚接触这嵌入式这块,不懂得该怎么办,又因为急着用,所以向各位大大求救。。谢谢啊。。我的邮箱是812786455@qq.com。。。。万分感 ......
wxchen2008 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2314  369  756  2568  2803  9  45  53  21  20 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved