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SI4833DY-T1

产品描述mosfet 功率 30v 3.5A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4833DY-T1概述

mosfet 功率 30v 3.5A 2W

SI4833DY-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻0.085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

SI4833DY-T1相似产品对比

SI4833DY-T1 SI4833DY-T1-E3
描述 mosfet 功率 30v 3.5A 2W mosfet 功率 30v 3.5A 2W
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8 8
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 3.5 A 3.5 A
最大漏源导通电阻 0.085 Ω 0.085 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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使用I2C.dll时的问题:定义:UCHAR S_Buf={0x49,0x01,0x08,0xC0,0x33,0x00,0x00,0xE9,0x0B,0xb8,0x01,0x80,0x47,0x40,0x00,0x01,0x2A,0x00,0x0c,0xB7,0x80,};加载I2C.dll OK creatfile OK做到这一步时:bRet = WriteFile(hI2CDrv, S_Buf...
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