mosfet 功率 N-chan 250v 8.0 amp
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 110 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A |
最大漏极电流 (ID) | 8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.435 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 88 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRF634NSPBF | IRF634NPBF | IRF634NLPBF | IRF634NSTRLPBF | |
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描述 | mosfet 功率 N-chan 250v 8.0 amp | mosfet 功率 N-chan 250v 8.0 amp | mosfet 功率 N-chan 250v 8.0 amp | mosfet 功率 N-chan 250v 8.0 amp |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | LEAD FREE PACKAGE-3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 110 mJ | 110 mJ | 110 mJ | 110 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 250 V | 250 V | 250 V | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
最大漏极电流 (ID) | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.435 Ω | 0.435 Ω | 0.435 Ω | 0.435 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 3 | 3 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | NOT SPECIFIED | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 88 W | 88 W | 88 W | 88 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32 A | 32 A | 32 A | 32 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | NO | NO | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 40 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
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