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SI4858DY-T1

产品描述mosfet 小信号 30v 20a 1.6W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4858DY-T1概述

mosfet 小信号 30v 20a 1.6W

SI4858DY-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)13 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
表面贴装YES

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Si4858DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.00525 at V
GS
= 10 V
0.007 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
20
17
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• Optimized for "Low Side" Synchronous
Rectifier Operation
• 100 % R
g
Tested
APPLICATIONS
• DC/DC Converters
• Synchronous Rectifiers
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
S
Ordering Information:
Si4858DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4858DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
2.9
3.5
2.2
- 55 to 150
20
15
60
1.3
1.6
1
W
°C
10 s
30
± 20
13
10
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
29
67
13
Maximum
35
80
16
°C/W
Unit
Document Number: 70690
S09-0221-Rev. C, 09-Feb-09
www.vishay.com
1

SI4858DY-T1相似产品对比

SI4858DY-T1 SI4858DY-E3
描述 mosfet 小信号 30v 20a 1.6W mosfet 小信号 30v 20a
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 13 A 13 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.5 W 3.5 W
表面贴装 YES YES
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