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TMS28F800AEYB70BDBJQ

产品描述IC 1M X 8 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小691KB,共52页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

TMS28F800AEYB70BDBJQ概述

IC 1M X 8 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44, Programmable ROM

TMS28F800AEYB70BDBJQ规格参数

参数名称属性值
Objectid1057233089
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度28.2 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量44
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
座面最大高度2.625 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度13.3 mm

 
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