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NAND2562R3A3AN6F

产品描述NAND2562R3A3AN6F
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文件大小676KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND2562R3A3AN6F概述

NAND2562R3A3AN6F

NAND2562R3A3AN6F规格参数

参数名称属性值
Objectid104289017
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99

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NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
s
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 1 Gbit memory array
– Up to 32Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
s
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
s
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
s
PAGE SIZE
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) Words
s
BLOCK SIZE
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) Words
s
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 12µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 200µs (typ)
s
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
s
CACHE PROGRAM MODE
– Internal Cache Register to improve the
program throughput
s
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (Typ)
s
STATUS REGISTER
s
ELECTRONIC SIGNATURE
s
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
– Simple interface with microcontroller
Figure 1. Packages
TSOP48
12 x 20 mm
FBGA
VFBGA63 8.5x15x1 mm
TFBGA63 8.5x15x1.2 mm
VFBGA63 9x11x1 mm
s
s
s
s
s
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP
OPTION
– Boot from NAND support
– Automatic Memory Download
SERIAL NUMBER OPTION
HARDWARE DATA PROTECTION
– Program/Erase locked during Power
transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and
hardware models
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– PC Demo board with simulation software
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
December 2003
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
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