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UPD46365092BF1-E33Y-EQ1

产品描述QDR SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小610KB,共36页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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UPD46365092BF1-E33Y-EQ1概述

QDR SRAM

UPD46365092BF1-E33Y-EQ1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1277419876
包装说明BGA-165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionQDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM
Samacsys ManufacturerRenesas Electronics
Samacsys Modified On2022-04-28 13:17:55
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度15 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度9
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.46 mm
最大待机电流0.43 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.7 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm

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Datasheet
μ
PD46365092B
μ
PD46365182B
μ
PD46365362B
36M-BIT QDR
TM
II SRAM
2-WORD BURST OPERATION
Description
The
μ
PD46365092B is a 4,194,304-word by 9-bit, the
μ
PD46365182B is a 2,097,152-word by 18-bit and the
μ
PD46365362B is a 1,048,576-word by 36-bit synchronous quad data rate static RAM fabricated with advanced CMOS
technology using full CMOS six-transistor memory cell.
The
μ
PD46365092B,
μ
PD46365182B and
μ
PD46365362B integrate unique synchronous peripheral circuitry and a
burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K#) are latched on the positive edge of K and
K#.
These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density
and wide bit configuration. These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.
R10DS0089EJ0400
Rev.4.00
Nov 09, 2012
Features
1.8 ± 0.1 V power supply
165-pin PLASTIC BGA (13 x 15)
HSTL interface
PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling
Separate independent read and write data ports with concurrent transactions
100% bus utilization DDR READ and WRITE operation
Two-tick burst for low DDR transaction size
Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only
Two output clocks (C and C#) for precise flight time and clock skew matching-clock
and data delivered together to receiving device
Internally self-timed write control
Clock-stop capability. Normal operation is restored in 20
μ
s after clock is resumed.
User programmable impedance output (35 to 70
Ω)
Fast clock cycle time : 3.3 ns (300 MHz), 4.0 ns (250 MHz).
Simple control logic for easy depth expansion
JTAG 1149.1 compatible test access port
R10DS0089EJ0400 Rev.4.00
Nov 09, 2012
Page 1 of 35
MSP430F2132串口通信老是不行?
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