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74AUP1G06GW-G

产品描述缓冲器和线路驱动器 1.8V inv open-drain outputs
产品类别半导体    逻辑   
文件大小516KB,共18页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G06GW-G概述

缓冲器和线路驱动器 1.8V inv open-drain outputs

74AUP1G06GW-G规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
产品种类缓冲器和线路驱动器
RoHS
逻辑系列AUP
逻辑类型CMOS
每芯片的通道数量Single
极性Inverting
电源电压(最大值)3.6 V
电源电压(最小值)0.8 V
最大工作温度+ 125 C
最小工作温度- 40 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-353
封装Reel
低电平输出电流4 mA
输出类型Open Drai
传播延迟时间16.5 ns @ 1.1 V to 1.3 V

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74AUP1G06
Low-power inverter with open-drain output
Rev. 5 — 22 October 2010
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G06 provides the single inverting buffer with open-drain output. The output of
the device is an open drain and can be connected to other open-drain outputs to
implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.
Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial Power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standards:
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
μA
(maximum)
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
Inputs accept voltages up to 3.6 V
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
Multiple package options
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and
−40 °C
to +125
°C
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