Static Column DRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, PQCC18
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 101065086 |
包装说明 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 70 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J18 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | STATIC COLUMN DRAM |
内存宽度 | 1 |
端子数量 | 18 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC18,.33X.53 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 256 |
最大待机电流 | 0.0012 A |
最大压摆率 | 0.07 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
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