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IRFD120

产品描述1300mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小854KB,共6页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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IRFD120概述

1300mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

IRFD120规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)1.3 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 80 V 80 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 1.3 A 1.1 A 1.3 A 1.1 A
最大漏源导通电阻 0.3 Ω 0.4 Ω 0.3 Ω 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 - 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合
JESD-609代码 - e0 e0 e0
湿度敏感等级 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子面层 - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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