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ALD1121EPAL

产品描述mosfet 小信号 dual epad(R) N-Ch
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小53KB,共8页
制造商All Sensors
标准
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ALD1121EPAL概述

mosfet 小信号 dual epad(R) N-Ch

ALD1121EPAL规格参数

参数名称属性值
厂商名称All Sensors
产品种类MOSFET 小信号
RoHS
配置Dual
晶体管极性N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通)500 Ohms
汲极/源极击穿电压10 V
闸/源击穿电压+/- 6.6 V
漏极连续电流3 mA
功率耗散600 mW
最大工作温度+ 70 C
安装风格Through Hole
封装 / 箱体PDIP-8
最小工作温度0 C

ALD1121EPAL相似产品对比

ALD1121EPAL ALD1121EPA ALD1123ESCL ALD1123EPC
描述 mosfet 小信号 dual epad(R) N-Ch mosfet 小信号 dual epad(R) N-Ch mosfet 小信号 quad epad(R) N-Ch mosfet 小信号 quad epad(R) N-Ch
厂商名称 All Sensors All Sensors All Sensors All Sensors
产品种类 MOSFET 小信号 MOSFET 小信号 MOSFET 小信号 MOSFET 小信号
RoHS
配置 Dual Dual Quad Quad
晶体管极性 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通) 500 Ohms 500 Ohms 500 Ohms 500 Ohms
汲极/源极击穿电压 10 V 10 V 10 V 10 V
闸/源击穿电压 +/- 6.6 V +/- 6.6 V +/- 6.6 V +/- 6.6 V
漏极连续电流 3 mA 3 mA 3 mA 3 mA
功率耗散 600 mW 600 mW 600 mW 600 mW
最大工作温度 + 70 C + 70 C + 70 C + 70 C
安装风格 Through Hole Through Hole SMD/SMT Through Hole
封装 / 箱体 PDIP-8 PDIP-8 SOIC-16 PDIP-16
最小工作温度 0 C 0 C 0 C 0 C

 
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