mosfet 小信号 dual epad(R) N-Ch
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | All Sensors |
产品种类 | MOSFET 小信号 |
RoHS | 是 |
配置 | Dual |
晶体管极性 | N-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 500 Ohms |
汲极/源极击穿电压 | 10 V |
闸/源击穿电压 | +/- 6.6 V |
漏极连续电流 | 3 mA |
功率耗散 | 600 mW |
最大工作温度 | + 70 C |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | PDIP-8 |
最小工作温度 | 0 C |
ALD1121EPAL | ALD1121EPA | ALD1123ESCL | ALD1123EPC | |
---|---|---|---|---|
描述 | mosfet 小信号 dual epad(R) N-Ch | mosfet 小信号 dual epad(R) N-Ch | mosfet 小信号 quad epad(R) N-Ch | mosfet 小信号 quad epad(R) N-Ch |
厂商名称 | All Sensors | All Sensors | All Sensors | All Sensors |
产品种类 | MOSFET 小信号 | MOSFET 小信号 | MOSFET 小信号 | MOSFET 小信号 |
RoHS | 是 | 否 | 是 | 否 |
配置 | Dual | Dual | Quad | Quad |
晶体管极性 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 500 Ohms | 500 Ohms | 500 Ohms | 500 Ohms |
汲极/源极击穿电压 | 10 V | 10 V | 10 V | 10 V |
闸/源击穿电压 | +/- 6.6 V | +/- 6.6 V | +/- 6.6 V | +/- 6.6 V |
漏极连续电流 | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
功率耗散 | 600 mW | 600 mW | 600 mW | 600 mW |
最大工作温度 | + 70 C | + 70 C | + 70 C | + 70 C |
安装风格 | Through Hole | Through Hole | SMD/SMT | Through Hole |
封装 / 箱体 | PDIP-8 | PDIP-8 | SOIC-16 | PDIP-16 |
最小工作温度 | 0 C | 0 C | 0 C | 0 C |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved