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BC558B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小107KB，共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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BC558B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP

BC558B规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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UTC BC556/557/558
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SWITCHING AND AMPLIFIER
APPLICATIONS
FEATURES
* High Voltage: BC556, V
CEO
=-65V
1
TO-92
1: COLLECTOR 2: BASE 3: EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Collector-base voltage
: BC556
: BC557
: BC558
Collector-emitter voltage
: BC556
: BC557
: BC558
Emitter-base voltage
Collector current (DC)
Collector dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
CBO
RATING
-80
-50
-30
UNIT
V
V
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
CEO
-65
-45
-30
-5
-100
500
150
-65 ~ +150
V
EBO
Ic
Pc
T
j
T
STG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Collector Cut-off Current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter on voltage
Current gain bandwidth product
Output Capacitance
SYMBOL
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Cob
TEST CONDITIONS
V
CB
=-30V, I
E
=0
V
CE
=-5V, Ic=2mA
Ic=-10mA, I
B
=-0.5mA
Ic=-100mA, I
B
=-5mA
Ic=-10mA, I
B
=-0.5mA
Ic=-100mA, I
B
=-5mA
V
CE
=-5V, Ic=-2mA
V
CE
=-5V, Ic=-10mA
V
CE
=-5V, Ic=-10mA, f=10MHz
V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz
MIN
110
TYP
MAX
-15
800
-300
-650
UNIT
nA
mV
mV
mV
mV
mV
MHz
pF
-600
-90
-250
-700
-900
-660
150
-750
-800
6
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R201-051,A

BC558B相似产品对比

BC558B BC556A BC556C BC557A BC556B BC558A BC557B BC557C BC558C
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 30 V 65 V 65 V 45 V 65 V 30 V 45 V 45 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 200 110 420 110 200 110 200 420 420
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz 150 MHz
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD

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