IGBT
■回路図 CIRCUIT
200 A 1200 V
PHMB200BS12
（単½ Dimension：mm）
■外½寸法図 OUTLINE DRAWING
■最大定格 Maximum Ratings（T
C
＝25℃）
項 目
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
DC
1ms
記号
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
V
iso
定 格 値
Rated Value
1200
±20
200
400
1200
−40∼＋150
−40∼＋125
2500
3（30.6）
F
tor
M4
M6
1.4（14.3）
3（30.6）
N m
・
（kgf cm）
・
単½
Unit
V
V
A
W
℃
℃
V
（RMS）
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
（端子−ベース間，AC１分間）
Isolation Voltage Terminal to Base, AC１min.）
（
ベース取付部
Module Base to Heatsink
締付トルク
Mounting Torque 端子部
Busbar to Terminal
■電気的特性 Electrical Characteristics（T
C
＝25℃）
項 目
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲートしきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入力容量
Input Capacitance
上昇時間
Rise Time
ターン・オン時間
スイッチング時間 Turn-On Time
Switching Time
下降時間
Fall Time
ターン・オフ時間
Turn-Off Time
記号
Symbol
I
CES
I
GES
（
V
CE sat）
（
V
GE th）
条 件
Test Conditions
V
CE
＝1200V, V
GE
＝0V
V
GE
＝±20V, V
CE
＝0V
I
C
＝200A, V
GE
＝15V
V
CE
＝5V, I
C
＝200mA
V
CE
＝10V, V
GE
＝0V, f＝1MHz
最小
Min.
─
─
─
4.0
─
─
標準
Typ.
─
─
2.30
─
12600
0.25
0.40
0.25
0.80
最大
Max.
2.00
1.00
2.70
8.00
─
0.45
0.70
単½
Unit
mA
μ
A
V
V
pF
Ｉ
Ｇ
Ｂ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
C
ies
t
r
t
on
t
f
t
off
V
CC
＝600V
R
L
＝2.0Ω
R
G
＝7.5Ω
V
GE
＝±15V
─
─
─
μ
s
0.35
1.10
─ 392 ─
■フリーホイーリングダイオードの特性 Free Wheeling Diode Ratings & Characteristics（T
C
＝25℃）
項 目
Item
順電流
Forward Current
項 目
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
DC
1ms
記号
Symbol
I
F
I
FM
記号
Symbol
V
F
t
rr
条 件
Test Conditions
I
F
＝200A, V
GE
＝0V
I
F
＝200A, V
GE
＝−10V
di/dt＝400A/ s
μ
定 格 値
Rated Value
200
400
最小
Min.
─
─
標準
Typ.
2.2
0.2
最大
Max.
2.6
0.3
単½
Unit
A
単½
Unit
V
μ
s
■熱的特性 Thermal Characteristics
項 目
Characteristic
熱抵抗
Thermal Impedance
IGBT
Diode
記号
Symbol
（j-c）
R
th
条 件
Test Conditions
Tc測定点チップ直下
Junction to Case
最小
Min.
─
─
標準
Typ.
─
─
最大
Max.
0.104
0.214
単½
Unit
℃/W
■定格・特性曲線
Fig. 1 Output Characteristics（Typical）
g
( y
12V
)
T
C
=25°C
11V
Fig. 2 Output Characteristics（Typical）
400
400
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
11V
V
GE
=20V
350
300
15V
350
300
15V
Collector Current I
C
(A)
10V
250
200
Collector Current I
C
(A)
10V
250
200
150
9V
150
100
50
0
9V
8V
100
50
0
8V
7V
0
1
2
3
4
5
7V
0
1
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical）
16
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig. 4 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=25°C
I
C
=100A
400A
T
C
=125°C
I
C
=100A
200A
400A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
200A
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig. 5 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage（Typical）
800
700
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig. 6 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage（Typical）
300000
100000
R
L
=3.0
T
C
=25°C
14
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
600
500
400
300
200
100
0
0
12
10
8
6
4
2
0
1400
30000
Capacitance C (pF)
Cies
10000
3000
V
CE
=600V
400V
200V
Coes
1000
300
100
30
Cres
200
400
600
800
1000
1200
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
─ 393 ─
Fig. 7 Collector Current
Fig. 7
vs. Switching Time（Typical）
2
Fig. 8 Series Gate Impedance
Fig. 8
vs. Switching Time（Typical）
10
Fig. 9 Collector Current vs. Switching Time
1.6
Switching Time t (µs)
V
CC
=600V
R
G
=7.5
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
Switching Time t (µs)
V
CC
=600V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
3
T
C
=25°C
Resistive Load
Switching Time t (µs)
10
3
t
OFF
1
V
CC
=600V
R
G
=7.5
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
t
OFF
1.2
1
toff
tf
t
f
0.3
t
ON
0.8
t
f
t
ON
t
r(V
CE
)
0.3
ton
tr
(V
CE
)
0.1
0.4
0.1
0.03
t
r(Ic)
0
0.03
0
50
100
150
200
3
10
30
100
0.01
0
50
100
150
200
250
Collector Current I
C
(A)
Fig. 10 Series Gate Impedance vs. Switching Time
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig. 11 Collector Current vs. Switching Loss
Collector Current I
C
(A)
Fig. 12 Series Gate Impedance vs. Switching Loss
10
60
200
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
E
ON
40
1
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
V
CC
=600V
I
C
=200A
5
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
2
Inductive Load
Switching Time t (µs)
50
V
CC
=600V
R
G
=7.5
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
100
V
CC
=600V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
E
ON
toff
0.5
E
OFF
30
ton
0.2
30
E
OFF
E
RR
tf
0.1
0.05
20
E
RR
10
10
tr
(I
C
)
0
3
10
30
50
0.02
3
0
50
100
150
200
250
300
3
10
30
50
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig. 13 Forward Characteristics of Free
Fig. 13
Wheeling Diode（Typical）
400
Collector Current I
C
(A)
Fig. 14 Reverse Recovery
Fig. 14
Characteristics （Typical）
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig. 15 Reverse Bias Safe Operating Area
(Typical)
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
I
F
=200A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
trr
Collector Current I
C
(A)
R
G
=7.5 , V
GE
=±15V, T
C
=125°C
Forward Current I
F
(A)
300
T
C
=25°C
T
C
=125°C
200
I
RrM
100
0
0
1
2
3
4
10
0.1
0
400
800
1200
1600
2000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Forward Voltage V
F
(V)
Fig. 16 Transient Thermal Impedance
-di/dt (A/µs)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.16-
Transient Thermal Impedance
1
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(°C/W)
3x10
-1
1x10
-1
FRD
IGBT
3x10
-2
1x10
-2
Ｉ
Ｇ
Ｂ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
3x10
-3
1x10
-3
T
C
=25°C
1 Shot Pulse
3x10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t (s)
─ 394 ─
测试/测量
京公网安备 11010802033920号
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