电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BC372P

产品描述双极小信号 -
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小21KB,共1页
制造商All Sensors
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BC372P在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BC372P - - 点击查看 点击购买

BC372P概述

双极小信号 -

BC372P规格参数

参数名称属性值
厂商名称All Sensors
RoHS
配置Single
晶体管极性NPN
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92
集电极—发射极最大电压 VCEO100 V
发射极 - 基极电压 VEBO12 V
最大直流电集电极电流1 A
功率耗散1000 mW
最大工作频率100 MHz (Min)
最大工作温度+ 200 C
最小工作温度- 55 C

文档预览

下载PDF文档
NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 2 – SEPT 93
FEATURES
* 100 Volt V
CEO
* Gain of 8k at I
C
=250mA
* I
C
=1 Amp
BC372
E
B
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
100
100
12
1
625
-55 to +150
TO92
UNIT
V
V
V
A
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CES
V
(BR)EBO
I
CBO
MIN.
100
100
12
100
100
1.0
2
10K
8K
100
25
3-16
MHz
pF
TYP.
MAX.
UNIT
V
V
V
nA
nA
V
V
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A, I
E
=0
I
C
=100
µ
A, I
B
=0*
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=80V, I
E
=0
V
EB
=10V, I
C
=0
I
C
=250mA, I
B
=0.25mA
I
C
=250mA, I
B
=0.25mA
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=250mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V
f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
Emitter Cut-Off Current I
EBO
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Static Forward Current h
FE
Transfer Ratio
Transition
Frequency
Output Capacitance
f
T
C
obo

BC372P相似产品对比

BC372P BC372PSTOA BC372PSTOB BC372PSTZ
描述 双极小信号 - 双极小信号 - 双极小信号 - 双极小信号 -
厂商名称 All Sensors All Sensors All Sensors All Sensors
RoHS
配置 Single Single Single Single
晶体管极性 NPN NPN NPN NPN
安装风格 Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
集电极—发射极最大电压 VCEO 100 V 100 V 100 V 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO 12 V 12 V 12 V 12 V
最大直流电集电极电流 1 A 1 A 1 A 1 A
功率耗散 1000 mW 1000 mW 1000 mW 1000 mW
最大工作频率 100 MHz (Min) 100 MHz (Min) 100 MHz (Min) 100 MHz (Min)
最大工作温度 + 200 C + 200 C + 200 C + 200 C
最小工作温度 - 55 C - 55 C - 55 C - 55 C

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2504  969  1616  2172  920  36  54  1  3  48 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved