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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BCP5516TC
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BCP5516TC

产品描述双极电源 -
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小42KB，共1页
制造商All Sensors
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BCP5516TC概述

双极电源 -

BCP5516TC规格参数

参数名称属性值
厂商名称All Sensors
RoHS否
配置Single Dual Collec
晶体管极性NPN
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-223
集电极—发射极最大电压 VCEO60 V
发射极 - 基极电压 VEBO5 V
最大直流电集电极电流1 A
功率耗散2000 mW
最大工作温度+ 150 C
最大工作频率100 MHz (Typ)
最小工作温度- 55 C

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SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 – AUGUST 1995
7
FEATURES
* Suitable for AF drivers and output stages
* High collector current and Low V
CE(sat)
COMPLEMENTARY TYPE –
PARTMARKING DETAILS –
BCP52
BCP55
BCP55 – 10
BCP55 – 16
C
BCP55
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
60
60
5
1.5
1
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-On
Voltage
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
MIN.
60
60
5
100
20
10
0.5
1.0
40
25
63
100
250
100
160
100
160
250
MHz
TYP.
MAX.
UNIT
V
V
V
nA
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
= 10mA *
I
E
=10
µ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
V
EB
=5V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA,
I
C
=500mA,
I
C
=150mA,
I
C
=150mA,
V
CE
=2V*
V
CE
=2V*
V
CE
=2V*
V
CE
=2V*
µ
A
µ
A
Emitter Cut-Off Current I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(on)
V
V
Static Forward Current h
FE
Transfer Ratio
BCP55-10
BCP55-16
Transition Frequency
f
T
I
C
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
3 - 17

BCP5516TC相似产品对比

BCP5516TC BCP55TA BCP55TC
描述 双极电源 - 双极电源 - 双极电源 -
厂商名称 All Sensors All Sensors All Sensors
RoHS 否 否 否
配置 Single Dual Collec Single Dual Collec Single Dual Collec
晶体管极性 NPN NPN NPN
安装风格 SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-223 SOT-223 SOT-223
集电极—发射极最大电压 VCEO 60 V 60 V 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V 5 V 5 V
最大直流电集电极电流 1 A 1 A 1 A
功率耗散 2000 mW 2000 mW 2000 mW
最大工作温度 + 150 C + 150 C + 150 C
最大工作频率 100 MHz (Typ) 100 MHz (Typ) 100 MHz (Typ)
最小工作温度 - 55 C - 55 C - 55 C

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