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单体能量密度高达500Wh/kg
上海2023年4月19日 /美通社/ -- 4月19日,宁德时代在上海国际汽车工业展览会发布创新前沿电池技术 -- 凝聚态电池,单体能量密度高达500Wh/kg,创造性地实现电池高比能与高安全兼得,并可快速实现量产,开启了载人航空电动化的全新场景,持续引领行业技术创新风向。
宁德时代针对超高比能化学材料的电化学反应变化,采用了高动力仿...[详细]
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据外媒报道,近日有网友发现微软各个官方商城里已经开始逐渐下架或隐藏Windows Phone品类。自Windows Phone上市以来,市 场占有率方面就一直处于一个尴尬的状况。微软也曾经想通过一系列措施来重振WP系统手机的效量,但可惜的是目前仍没有任何起色。 要与Lumia说拜拜!微软官网撤下WP品类(图片来自于CNET)
在微软美国官方商城中,Windows Phone...[详细]
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Today I accomplish a simple application for PIC32MZ EC Starter Kit. This application uses Input Capture feature of PIC32MZ. The Input Capture module captures the 32-bit value of the selected Time B...[详细]
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微软正在忙着完成下一版Win10手机预览版系统的编译工作,如果版本符合Insider发布版本的标准,那么将会很快进入推送阶段。虽然距离上一版Win10手机预览版更新已经过去了几个星期,不过如果系统返回的遥测数据OK的话,新版预览版有望在本周定型。 Win10手机预览版10080已在内测
Windows Insider项目负责人Gabe Aul在Twitter上表示,buil...[详细]
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eeworld网消息,5月16日晚,北京、上海、广州、成都等九大城市的地标性建筑上,同时出现“前后2000万,拍照更清晰——OPPO R11”的信息。随着该信息的公布,可以确定,OPPO即将发布新品OPPO R11,拍照方面将再有提升。 再次强势登陆国内城市核心地标的OPPO,此次发布的信息十分简短,信息量却很大。首先,OPPO R11的前后置摄像头都将达到2000万,这在手机行业尚属首...[详细]
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来自知情人士及相关消息显示,科技巨头公司 苹果 目前正与充电站建设企业对话,同时聘请汽车充电领域专业人才研究 充电技术 。
在过去的一年多里,苹果公司因为研发 电动车 的传闻在硅谷引起骚动,如今该公司或打算在基础设施建设及充电相关软件研发方面打下基础。对于电动车来说,如何为电池充电是一大关键问题,苹果公司从当前公共充电站短缺、充电耗时较长等问题中看到了机会。
然而,如同苹果从未...[详细]
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首先来了解下什么是局部放电?局部放电是指绝缘结构中由于电场分布不均匀、局部场强过高而导致的绝缘介质中局部范围内的放电或击穿现象,局部放电是绝缘老化的重要征兆和表现形式,因此对局部放电的有效检测对电力设备的安全经济运行具有重要意义。 局部放电的检测是以局部放电所产生的各种现象为依据,通过能表征放电的物理量来分析局部放电的状态及特性。国内外学者进行广泛、深入研究局部放电的过程中产生的电脉...[详细]
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高速传输介面厂谱瑞-KY受惠居家办公需求带动PC相关产品拉货动能强劲,业内人士看好,本季营收季增7%,有望连两季创新高,营运续强,且明年在Mini LED规格导入iPad及Macbook拉开升级序幕,加上Mini LED渗透率攀升,带动高毛利率的时脉控制芯片(eDP TCON)平均单价逐年向上。 谱瑞上半年受惠全球掀起居家办公、远距教学等,带动高速传输装置需求强劲,第2季营收36.32亿元(...[详细]
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联想董事长兼CEO杨元庆今日在接受路透社采访时称,联想正迈入一个新的增长阶段,手机业务将在2018财年下半年腾飞。联想今日发布了截至6月30日的第一财季财报,由于成本增加,利润率下滑,联想第一财季出现了自2015年9月以来的首个季度亏损。受此影响,联想股价今日一度下滑5%至4.52港元,创一年来的新低。 联想高管表示,公司今年剩余几个季度仍将面临严峻的调整。内存等零部件短缺可能推动产品成本上涨,...[详细]
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PCB原理图如下,我记得当时还是用protel画的 电路原理图如下:画图软件同上 实验参考C语言代码 #include “stc12c2052ad.h” #include “wifi_IR.h” #include intrins.h //#define ENABLE_IAP 0x83 //if SYSCLK 20MHz #define FOSC 11059200UL//12M...[详细]
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全球目前量产的 最先进工艺是5nm,台积电明年就要量产3nm工艺,不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术,三星则选择了GAA技术,日前三星也成功流片了3nm GAA芯片,迈出了关键一步。 在3nm节点,三星比较激进,直接选择了下一代工艺技术——GAA环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术...[详细]
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9 月 18 日消息,超材料具有同类天然材料不具备的特性。英国格拉斯哥大学研究人员现开发出了一种新型、廉价、易于制造的超薄二维(2D)超表面材料,能对卫星最常用的电磁波进行操纵和转换,有望提升 6G 卫星在通信、高速数据传输和遥感方面的能力。相关论文已发表于新一期《通信工程》。 ▲ 图源:格拉斯哥大学 该团队通过这种突破性的 2D 超表面材料将“线偏振”的电磁波转换为“圆偏振”,从而提高卫星...[详细]
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在真空技术应用中,气体微流量由气体微流量计测量。精确测量气体微流量(或漏率)具有十分重要的意义。例如,为了保持飞船舱内的压力长期工作正常,需要对舱体进行检漏,检漏时不但要找到漏孔位置,还要精确测量微小的漏率,这对于长期在空间飞行的载人飞船尤为重要;火箭燃料是易燃、易爆、有毒的气体或液体,微小的泄漏具有很大的危险性,要对火箭燃料的加注过程和发射阵地进行安全检测;在电子工业中的半导体元件、集成电路、...[详细]
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将 RST/NMI 引脚设为 NMI 模式,主程序中点亮 P1.0 口 LED,在 NMI 中断中关掉 LED。现象为当按下 RST 按键时,LED 熄灭,并且再也不亮(除非重新上电)。 #include MSP430G2553.h void main( void ) { WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD +WDTNMI; //NMI模式(非Reset模式)...[详细]
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在ARM V4及V4T以后的大部分处理器中,中断向量表的位置可以有两个位置:一个是0,另一个是0xffff0000。可以通过CP15协处理器c1寄存器中V位(bit )控制。V和中断向量表的对应关系如下: 0x00000000~0x0000001C / 0xffff0000~0xffff001C 。Linux内核使用0xffff0000。 异常向量的代码很简单,只是一些跳转指令。发生异常时...[详细]