NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 420 nm bis 1130 nm
• Hohe Linearität
• TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
mit Basisanschluß
Anwendungen
• Computer-Blitzlichtgeräte
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BP 103
BP 103-3/4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P75
Q62702-P3577
Features
• Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
• High linearity
• TO-18, base plate, transparent epoxy resin
lens, with base connection
Applications
•
•
•
•
Computer-controlled flashes
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
2001-02-21
1
BP 103
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature,
≥
2 mm distance
from case bottom
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature,
≥
2 mm distance
from case bottom
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 80
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
50
100
200
7
150
500
V
mA
mA
V
mW
K/W
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BP 103
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light a
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 35 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
420
…
1130
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
0.12
0.5
×
0.5
0.2
…
0.8
±
55
mm
2
mm
×
mm
mm
Grad
deg.
H
ϕ
I
PCB
I
PCB
0.9
2.7
µA
µA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
8
11
19
5 (≤ 100)
pF
pF
pF
nA
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BP 103
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 lx
Normlicht/standard light A
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
-5
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
80 … 160 125 … 250 200 … 400
≥
320
µA
0.38
5
0.6
7
0.95
9
1.4
12
mA
µs
V
CEsat
150
150
150
150
mV
I
PCE
--------
-
I
PCB
140
210
340
530
–
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
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4
BP 103
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
°
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Dark Current
I
CEO
/I
CEO25
°
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
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5
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