FIFO, 1KX9, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| 长度 | 37.0205 mm |
| 内存密度 | 9216 bi |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 1KX9 |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-9158506MXX | 5962-9158506MUX | DIP-U1959-11-1961-F-B-5 | 5962-8866904ZX | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 1KX9, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 | FIFO, 1KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.04W, 1960ohm, 50V, 1% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 4025, | FIFO, 2KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | compliant | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 4 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 32 | 8 | 32 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | DIP | CHIP CARRIER |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | THIN FILM | CMOS |
| 零件包装代码 | DIP | QFJ | - | QFJ |
| 包装说明 | DIP, | QCCN, LCC32,.45X.55 | - | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数 | 28 | 32 | - | 32 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-CQCC-N32 | - | R-CQCC-N32 |
| 长度 | 37.0205 mm | 13.97 mm | - | 13.97 mm |
| 内存密度 | 9216 bi | 9216 bit | - | 18432 bi |
| 内存宽度 | 9 | 9 | - | 9 |
| 字数 | 1024 words | 1024 words | - | 2048 words |
| 字数代码 | 1000 | 1000 | - | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 1KX9 | 1KX9 | - | 2KX9 |
| 可输出 | NO | NO | - | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | QCCN | - | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | - | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.286 mm | - | 2.286 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | - | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | - | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | - | QUAD |
| 宽度 | 7.62 mm | 11.43 mm | - | 11.43 mm |
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