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74LVC1G99GS,115

产品描述translation - voltage levels 38.5ns 5.5V 250mw
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小336KB,共32页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74LVC1G99GS,115概述

translation - voltage levels 38.5ns 5.5V 250mw

74LVC1G99GS,115规格参数

参数名称属性值
Source Url Status Check Date2013-06-14 00:00:00
Brand NameNXP Semiconduc
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明1.35 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1203, SON-8
针数8
制造商包装代码SOT1203
Reach Compliance Codecompli

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74LVC1G99
Ultra-configurable multiple function gate; 3-state
Rev. 8 — 5 April 2013
Product data sheet
1. General description
The 74LVC1G99 provides a low voltage, ultra-configurable, multiple function gate with
3-state output. The device can be configured as one of several logic functions including,
AND, OR, NAND, NOR, XOR, XNOR, inverter, buffer and MUX. No external components
are required to configure the device as all inputs can be connected directly to V
CC
or
GND. The 3-state output is controlled by the output enable input (OE). A HIGH level at OE
causes the output (Y) to assume a high-impedance OFF-state. When OE is LOW, the
output state is determined by the signals applied to the Schmitt trigger inputs (A, B, C and
D).
Due to the use of Schmitt trigger inputs the device is tolerant of slowly changing input
signals, transforming them into sharply defined, jitter free output signals. By eliminating
leakage current paths to V
CC
and GND, the inputs and disabled output are also
over-voltage tolerant, making the device suitable for mixed-voltage applications.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
The 74LVC1G99 is fully specified over the supply range from 1.65 V to 5.5 V.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
5 V tolerant inputs for interfacing with 5 V logic
High noise immunity
Complies with JEDEC standard:
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
24
mA output drive (V
CC
= 3.0 V)
CMOS low power consumption
Latch-up performance exceeds 250 mA
Direct interface with TTL levels
Inputs accept voltages up to 5 V
Multiple package options
Specified from
40 C
to +85
C
and
40 C
to +125
C.
官方提供:国民技术N32G457xx资料包
特别提醒,参与测评的小伙伴看过来~ @jinglixixi @yang377156216 @lugl4313820 @oxygen_sh @fxyc87 资料包内容如下: 585044 585043 585042 585041 58 ......
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