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CBR2-040: 产品描述BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小720KB，共4页; 制造商Central Semiconductor

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CBR2-040概述

BRIDGE RECTIFIER DIODE

桥式整流二极管

CBR2-040规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	_compli
最小击穿电压	400 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	O-PBCY-W4
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	60 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	400 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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CBR1 SERIES

CBR2 SERIES

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1 and CBR2

series devices are silicon, single phase, full wave bridge

rectifiers designed for general purpose applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE A

MAXIMUM RATINGS:

(TA=50°C)

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (CBR1)

Average Forward Current (CBR2)

Peak Forward Surge Current (CBR1)

Peak Forward Surge Current (CBR2)

Operating and Storage

Junction Temperature

ELECTRICAL

SYMBOL

VF (CBR1)

VF (CBR2)

CBR1

CBR2

SYMBOL -010

VRRM

100

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

CBR1

CBR2

-020

200

140

CBR1

CBR2

-040

400

280

1.5

2.0

CBR1

CBR2

-060

600

420

CBR1

CBR2

-080

800

560

CBR1

CBR2

-100 UNITS

1000

700

°C

-65 to +150

CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

VR=Rated VRRM

IF=1.0A

1.0

IF=2.0A

1.1

UNITS

μA

R1 (31-July 2013)

CBR2-040相似产品对比

	CBR2-040	CBR1-040	CBR2-010	CBR2-020	CBR2-080	CBR2-100
描述	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	_compli	_compli	unknow	_compli	_compli	unknow
最小击穿电压	400 V	400 V	100 V	200 V	800 V	1000 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
JESD-30 代码	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4	O-PBCY-W4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	60 A	50 A	60 A	60 A	60 A	60 A
元件数量	4	4	4	4	4	4
相数	1	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	2 A	1.5 A	2 A	2 A	2 A	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	400 V	400 V	100 V	200 V	800 V	1000 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	-	-	Central Semiconductor
Base Number Matches	1	1	-	1	1	-

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