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CBAS17

产品描述LOW VOLTAGE STABISTOR
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小42KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CBAS17概述

LOW VOLTAGE STABISTOR

CBAS17规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-23
包装说明SOT-23, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型STABISTOR DIODE
最大正向电压 (VF)0.96 V
正向电压最小值(VF)0.87 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.35 W
认证状态Not Qualified
反向测试电压4 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Central
CBAS17
LOW VOLTAGE STABISTOR
DESCRIPTION:
TM
Semiconductor Corp.
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBAS17
type is a planar epitaxial silicon switching
diode, designed for low voltage stabilizing
applications.
Marking code is A91.
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS
(TA=25
o
C)
SYMBOL
IFRM
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
UNITS
mA
mW
o
C
o
C/W
Peak Repetitive Forward Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
250
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25
o
C unless otherwise noted)
SYMBOL
VF
VF
VF
VF
VF
IR
CT
TEST CONDITIONS
IF=0.1mA
IF=1.0mA
IF=5.0mA
IF=10mA
IF=100mA
VR=4.0V
VR=0, f=1 MHz
MIN
.580
.665
.725
.750
.870
TYP
.665
.745
.805
.825
.920
MAX
.680
.760
.820
.840
.960
5.0
140
UNITS
V
V
V
V
V
µA
pF
64

 
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