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MTP4N40

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小25KB,共2页
制造商Semiconductor Technology Inc
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MTP4N40概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

MTP4N40规格参数

参数名称属性值
厂商名称Semiconductor Technology Inc
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

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PRODUCT SPECIFICATIONS
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC.
3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997
PH: (561) 283-4500 FAX: (561) 286-8914
Website: http://www.semi-tech-inc.com
CASE OUTLINE:
TO-220
TYPE:
MTP4N40
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET
N-CHANNEL
ABSOLUTE MAXIMUM RATING:
Drain – Source Voltage
Drain – Gate Voltage
Drain Current – Continuous
Drain Current – Pulsed
Gate – Source Voltage
Power Dissipation
Inductive Current
Operating and Storage Temperature
Lead Temperature
Vds
Vdg
Id
Idm
Vgs
Pd
IL
Tj & Tstg
From Case
400
400
4.0
10
±20
75
-65 to +150
275
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
W
Amps
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA @ 25°C
°
Parameters
Symbol
Test Conditions
Drain Source
BVdss
ID = .25MA
Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage Vgs(th)
ID = 1MA
ID = 1MA, Tj = 100°C
Gate – Body Leakage
Igss
VGS = 20V
Current
Zero Gate Voltage
Idss
VDS = 320V
Drain Current
VDS = 320V, Tj = 125°C
On State Drain Current
Id(on)
Drain Source On
Resistance
Forward
Transconductance
Drain-Source On
Voltage
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Rds(on)
gfs
VDS(on)
Ciss
Coss
Crss
ID = 2.0A, VGS = 10V
ID = 2.0A, VGS = 15V
ID = 4.0A, VDS = 10V
ID = 2.0A, VDS = 10V
VDS = 25V, f = 1 MHZ
VDS = 25V, f = 1 MHZ
VDS = 25V, f = 1 MHZ
Min
400
2.0
1.5
Typ
Max
Unit
V
V
nA
MA
MA
A
mhos
4.5
4.0
100
0.2
1.0
1.5
1.5
7.5
6.0
1200
300
80
V
V
pF
pF
pF
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